TRCP380

据置型 ２軸 CMP装置

高精度の加圧コントロール機構を備えたセミオートＣＭＰ装置

ラッププレートの大きさ	外径Φ380mm
装置寸法	幅1,010mm × 奥行945mm × 高さ1,875mm
装置重量	約1,500kg

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２軸ポリッシングヘッドと半導体デバイス等で用いられるCMP機構を併せ持った装置です。

研削後のウェーハのダメージ層を除去する為、ウェーハの表面を高精度に仕上げるポリッシングヘッドを備えたφ３"・φ４" 用ポリッシングマシーン及び半導体デバイス等で用いられる CMP（Chemical Mechanical Polis）)機構を併せ持ったマシーンです。

強制ドライブ機構、循環冷却水機構などさまざまな機構を搭載し、高精度の加圧コントロール機構を備えたセミオートＣＭＰ装置です。

VAP250

真空貼り合せ装置

対象支持基板径	最大φ250mm対応
加圧貼り付け方法	エアー加圧（ダイヤフラム方式）
加圧力	0.25MPa
真空方法	バキュームポンプ（別体式）
ホットプレート設定温度範囲	常温〜200℃（任意設定）
加熱機構	ヒーター
冷却機構	水冷式
装置寸法（フルオプション）	幅630mm × 奥行400mm × 高さ500mm

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Siウェーハやサファイア基板等の様々なウェーハ（薄基板）を、セラミックやSUSなどの支持基板(貼付ベースプレート)にワックス接着させるための貼付装置です。

ウェーハの反りを矯正し、且つワックス層の厚みを極限まで抑えた接着により、極薄ウェーハの加工（作成）・ウェーハの厚みの高精度管理を可能にする接着装置です。

試料の加圧に空気圧力（ダイアフラム方式）を採用することにより、試料を均一に加圧でき、支持基板にムラなくウェーハの反りを矯正します。

また、真空環境下で貼り付けることによって、ワックスに含まれる気泡や、反ったウェーハを貼付ける際に混入してしまう空気などの気泡を除き、ワックス層への気泡の混入による厚みバラツキや接着力不足のない高精度な貼り合わせができます。