CMP装置
シリコンウエハー薄膜用装置 TRCP900
案内
シリコンウエハーの膜加工(CMP)や薄板加工を行うのに最適です。 膜種はLow-K膜用対応装置や導電体用装置、絶縁膜用装置があります。 ウエハー材料の薄板加工は別オプション装置により、30μm・50μmまで薄くしたWaferを単体で剥離する事も可能です。
仕様
※ 下記仕様はスタンダードモデルのものです。
ラッププレート関係
ラッププレートサイズ 外径φ900mm
ラッププレートの回転数 15〜120rpm
ラッププレートの冷却方式 恒温水循環方式
ヘッド関係
ヘッドサイズ φ12"対応
ヘッド回転数 15〜120rpm
チャック方式 別途ご相談
加圧方式 膜種・材料厚みにより別途ご相談
オシレーション関係
オシレーション揺動ストローク 0〜30mm
オシレーション速度 無段階速度
加工対象
対象waferサイズ φ200mm/φ300mm
装置重量寸法
装置重量(フル装備) 約2,000kg
寸法 幅1,500mm×奥行1,730mm ×高さ2,000mm
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