シリコンウエハーの膜加工（CMP）や薄板加工を行うのに最適です。 膜種はLow-K膜用対応装置や導電体用装置、絶縁膜用装置があります。
ウエハー材料の薄板加工は別オプション装置により、30μm・50μmまで薄くしたWaferを単体で剥離する事も可能です。
※ 下記仕様はスタンダードモデルのものです。
| ラッププレート関係 | |
|---|---|
| ラッププレートサイズ | 外径φ900mm |
| ラッププレートの回転数 | 15〜120rpm |
| ラッププレートの冷却方式 | 恒温水循環方式 |
| ヘッド関係 | |
| ヘッドサイズ | φ12"対応 |
| ヘッド回転数 | 15〜120rpm |
| チャック方式 | 別途ご相談 |
| 加圧方式 | 膜種・材料厚みにより別途ご相談 |
| オシレーション関係 | |
| オシレーション揺動ストローク | 0〜30mm |
| オシレーション速度 | 無段階速度 |
| 加工対象 | |
| 対象waferサイズ | φ200mm/φ300mm |
| 装置重量寸法 | |
| 装置重量（フル装備） | 約2,000kg |
| 寸法 | 幅1,500mm×奥行1,730mm
×高さ2,000mm |
