本機は、高集積高速化されるデバイスにCMP技術を用い、より高精度な平坦化技術・仕上げ要求に対応する為に開発されたR&D（研究・開発用）用CMP装置です。
※ 下記仕様はスタンダードモデルのものです。
| ポリッシングテーブル関係 | |
|---|---|
| ラッププレートの大きさ | 外径φ400mm |
| ラッププレートの回転数 | 0〜100rpm 無段階変速 |
| ラッププレートの冷却方式 | 恒温水循環方式 |
| ポリッシュプレート材質 | アルミナセラミックス |
| ポリッシュプレート受け材質 | SUS420J2 |
| プレート交換方式 | ワンタッチ交換方式 |
| プロセスステップ数 | ４段階 |
| ポリッシュヘッド関係 | |
| ポリッシュヘッド軸数 | １軸 |
| ポリッシュヘッド回転数 | 20〜100rpm |
| ポリッシュヘッド加圧 | エアシリンダ方式 |
| ポリッシュヘッド上下ストローク | 100mm |
| ポリッシュプレート材質 | アルミナセラミックス |
| プレート交換方式 | ワンタッチ交換方式 |
| オシレーション関係 | |
| オシレーション揺動ストローク | 0〜40mm |
| オシレーション速度 | 無段階速度 |
| ウエハ最大径 | φ６インチ |
| エアーシリンダー機構 | |
| エアーシリンダーストローク | 60mm |
| 加圧重量範囲 | 20〜150kg |
| 供給エアー | 5.0MPa |
| 装置重量寸法 | |
| 本体重量 | 約1,000kg |
| 本体寸法 | 幅900mm×奥行1,100mm×高さ1,800mm |
